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Propriétés Optiques et Electroniques de GaAsN, GaAsSb et GaAsNSb / Nebiha, Ben sedrine
Titre : Propriétés Optiques et Electroniques de GaAsN, GaAsSb et GaAsNSb : Alliages semiconducteurs nitrurés dilués pour l'optoélectronique Type de document : texte imprimé Auteurs : Nebiha, Ben sedrine, Auteur Editeur : ALLEMAGNE : P.A.F Année de publication : 2012 Importance : 183P Format : 22X15cm ISBN/ISSN/EAN : 978-3-8381-7293-4 Langues : Français (fre) Langues originales : Français (fre) Mots-clés : Propriétés Optiques,Electroniques de GaAsN, GaAsSb et GaAsNSb,Alliages semiconducteurs ,l'optoélectronique. Index. décimale : 621 Physique appliquée Résumé : L’objectif de ce travail est la détermination des indices complexes, des fonctions diélectriques inconnues ainsi que l’analyse de l’effet d’incorporation des atomes d’azote et d’antimoine dans les couches minces de GaAsN, GaAsSb et GaAsSbN, élaborées par la technique d’épitaxie par jets moléculaires (MBE), en utilisant la technique d’ellipsométrie spectroscopique. Ces alliages semiconducteurs, basés sur la substitution de l’arsenic dans GaAs avec de l’azote et/ou avec l’antimoine, ayant une énergie de bande interdite plus faible que celle du GaAs, et des propriétés optiques qui dépendent fortement de la composition d’alliage ainsi que de l’état de contrainte, présentent un grand intérêt dans le domaine de l’optoélectronique. L’analyse des résultats ellipsométriques par l’utilisation du modèle standard des points critiques (SCP) et du modèle de la fonction diélectrique d’Adachi (MDF) pour la paramétrisation de la fonction diélectrique de l’alliage nous ont permis de déterminer avec une grande précision les paramètres des points critiques dans les différentes directions cristallographiques. Propriétés Optiques et Electroniques de GaAsN, GaAsSb et GaAsNSb : Alliages semiconducteurs nitrurés dilués pour l'optoélectronique [texte imprimé] / Nebiha, Ben sedrine, Auteur . - ALLEMAGNE : P.A.F, 2012 . - 183P ; 22X15cm.
ISBN : 978-3-8381-7293-4
Langues : Français (fre) Langues originales : Français (fre)
Mots-clés : Propriétés Optiques,Electroniques de GaAsN, GaAsSb et GaAsNSb,Alliages semiconducteurs ,l'optoélectronique. Index. décimale : 621 Physique appliquée Résumé : L’objectif de ce travail est la détermination des indices complexes, des fonctions diélectriques inconnues ainsi que l’analyse de l’effet d’incorporation des atomes d’azote et d’antimoine dans les couches minces de GaAsN, GaAsSb et GaAsSbN, élaborées par la technique d’épitaxie par jets moléculaires (MBE), en utilisant la technique d’ellipsométrie spectroscopique. Ces alliages semiconducteurs, basés sur la substitution de l’arsenic dans GaAs avec de l’azote et/ou avec l’antimoine, ayant une énergie de bande interdite plus faible que celle du GaAs, et des propriétés optiques qui dépendent fortement de la composition d’alliage ainsi que de l’état de contrainte, présentent un grand intérêt dans le domaine de l’optoélectronique. L’analyse des résultats ellipsométriques par l’utilisation du modèle standard des points critiques (SCP) et du modèle de la fonction diélectrique d’Adachi (MDF) pour la paramétrisation de la fonction diélectrique de l’alliage nous ont permis de déterminer avec une grande précision les paramètres des points critiques dans les différentes directions cristallographiques. Réservation
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Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité 13/204862 L/621.1083 Livre Bibliothèque Mathématique informatique et sciences de la matière indéterminé Exclu du prêt 13/204863 L/621.1083 Livre Bibliothèque Mathématique informatique et sciences de la matière indéterminé Disponible 13/204864 L/621.1083 Livre Bibliothèque Mathématique informatique et sciences de la matière indéterminé Disponible