| Titre : |
Circuits intégrés en arséniure de Gallium : Physique,technologie et règles de concep |
| Type de document : |
texte imprimé |
| Auteurs : |
Castagné.R., |
| Editeur : |
Paris : Masson. |
| Année de publication : |
1989 |
| Collection : |
Technique Scientifique des télécommunications |
| Importance : |
591p |
| Présentation : |
couv.illi.fig.tab.bib.ind |
| Format : |
24×15.5cm |
| ISBN/ISSN/EAN : |
978-2-225-81316-0 |
| Langues : |
Français (fre) Langues originales : Français (fre) |
| Index. décimale : |
621 Physique appliquée |
| Résumé : |
Cet ouvrage présente une synthèse remarquable des connaissances et expériences accumulées jusqu'à ce jour sur les circuits intégrés à l'arséniure gallium. Traité avec un souci didactique permanent, il constitue une excellente ouverture aux caractéristiques actuelles de la technologie et des architectures, tout en offrant une garantie de compréhension certaine des évolutions futures. Les sujets traités ici se regroupent en deux grandes parties. L'une couvre les problèmes du matériau, des composants de base, et des technologies de réalisation. L'autre, dans les deux derniers chapitres, s'intéresse à l'application aux circuits intégrés hyperfréquences (MMIC) et aux circuits intégrés numériques. Ce livre s'adresse en même temps aux ingénieurs ou étudiants concernés par la fabrication du matériau ou des composants et circuits intégrés As Ga et aux concepteurs de matériels et d'équipements qui sont de plus en plus amenés à faire appel à ce qu'il est (déjà ! ... ) convenu de désigner sous le nom de "fonderie d'As Ga". Enfin, et ce n'est sans doute pas la moindre de ses qualités, ce livre constitue sans doute le premier ouvrage en français dans le domaine, qui ne soit pas la traduction d'une édition en langue anglaise. L'hommage doit donc être rendu aux auteurs d'avoir su, ainsi, témoigner de la position favorable occupée, dès le début, par la France, dans une technologie stratégique à fort contenu innovatif.
|
| Note de contenu : |
"Sommaire
Propriétés électroniques des matériaux III-V
Propriétés physiques des structures élémentaires
Physique et modèles des composants III-V
Matériaux et technologie pour circuits intégrés à l'arséniure de gallium
Circuits intégrés monolithiques micro-ondes
Circuits intégrés numériques."
|
Circuits intégrés en arséniure de Gallium : Physique,technologie et règles de concep [texte imprimé] / Castagné.R., . - Paris : Masson., 1989 . - 591p : couv.illi.fig.tab.bib.ind ; 24×15.5cm. - ( Technique Scientifique des télécommunications) . ISBN : 978-2-225-81316-0 Langues : Français ( fre) Langues originales : Français ( fre)
| Index. décimale : |
621 Physique appliquée |
| Résumé : |
Cet ouvrage présente une synthèse remarquable des connaissances et expériences accumulées jusqu'à ce jour sur les circuits intégrés à l'arséniure gallium. Traité avec un souci didactique permanent, il constitue une excellente ouverture aux caractéristiques actuelles de la technologie et des architectures, tout en offrant une garantie de compréhension certaine des évolutions futures. Les sujets traités ici se regroupent en deux grandes parties. L'une couvre les problèmes du matériau, des composants de base, et des technologies de réalisation. L'autre, dans les deux derniers chapitres, s'intéresse à l'application aux circuits intégrés hyperfréquences (MMIC) et aux circuits intégrés numériques. Ce livre s'adresse en même temps aux ingénieurs ou étudiants concernés par la fabrication du matériau ou des composants et circuits intégrés As Ga et aux concepteurs de matériels et d'équipements qui sont de plus en plus amenés à faire appel à ce qu'il est (déjà ! ... ) convenu de désigner sous le nom de "fonderie d'As Ga". Enfin, et ce n'est sans doute pas la moindre de ses qualités, ce livre constitue sans doute le premier ouvrage en français dans le domaine, qui ne soit pas la traduction d'une édition en langue anglaise. L'hommage doit donc être rendu aux auteurs d'avoir su, ainsi, témoigner de la position favorable occupée, dès le début, par la France, dans une technologie stratégique à fort contenu innovatif.
|
| Note de contenu : |
"Sommaire
Propriétés électroniques des matériaux III-V
Propriétés physiques des structures élémentaires
Physique et modèles des composants III-V
Matériaux et technologie pour circuits intégrés à l'arséniure de gallium
Circuits intégrés monolithiques micro-ondes
Circuits intégrés numériques."
|
|  |
Affiner la recherche Interroger des sources externes
