Applications des transistors à effet de champ en arséniure de gallium / R.Soares

Public ISBD Titre : Applications des transistors à effet de champ en arséniure de gallium Type de document : texte imprimé Auteurs : R.Soares, Editeur : Paris : Eyrolles Année de publication : 1984 Collection : Technique et Scientifique des Télécommunication Importance : 517 p Présentation : couv.illi.fig.bib.ind Format : 24×15.5cm ISBN/ISSN/EAN : 978-2-212-05294-7 Langues : Français (fre) Langues originales : Français (fre) Index. décimale : 621 Physique appliquée Applications des transistors à effet de champ en arséniure de gallium [texte imprimé] / R.Soares,  . - Paris : Eyrolles, 1984 . - 517 p : couv.illi.fig.bib.ind ; 24×15.5cm. - (Technique et Scientifique des Télécommunication) . ISBN : 978-2-212-05294-7 Langues : Français (fre) Langues originales : Français (fre) Index. décimale : 621 Physique appliquée

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98/57120	L/621.350	Livre	Bibliothèque Science et Technologie	indéterminé	Disponible
98/57121	L/621.350	Livre	Bibliothèque Science et Technologie	indéterminé	Disponible
98/57119	L/621.350	Livre	Bibliothèque Science et Technologie	indéterminé	Exclu du prêt

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