| Titre : |
Bruit Basse Fréquence dans les transistors bipolaires a hétérojonction : Transistors Si/SiGe et Si/SiGeC issus de technologies BiCMOS |
| Type de document : |
texte imprimé |
| Auteurs : |
Cyril, Chay, |
| Editeur : |
France : EUE |
| Année de publication : |
2012 |
| Collection : |
Omn.univ.europ. |
| Importance : |
132 P |
| Présentation : |
couv.illi.fig.tab.bib.conc. |
| Format : |
22x15 cm |
| ISBN/ISSN/EAN : |
978-3-8381-8011-3 |
| Langues : |
Français (fre) Langues originales : Français (fre) |
| Index. décimale : |
621 Physique appliquée |
| Résumé : |
Ce travail a consisté à caractériser des transistors bipolaires à hétérojonction par des mesures de bruit basse fréquence (BF). Cette étude a porté sur deux types de composants : des transistors Si/SiGe et Si/SiGeC issus de technologies BiCMOS avancées. Les mesures de bruit basse fréquence sont effectuées en fonction de la polarisation sur des transistors présentant différents paramètres technologiques (surface d'émetteur, profil du Germanium, …) afin de pouvoir localiser et analyser les sources de bruit. Nous avons pu modéliser le bruit en 1/f associé au courant de base ce qui nous a permis d'extraire les paramètres SPICE utilisés dans les modèles de simulation électrique des circuits. Un facteur de mérite reliant les performances fréquentielles et les performances en bruit BF a été proposé. Une étude de l'influence du stress électrique sur des transistors Si/SiGe a été effectuée pour localiser les défauts et les sources de bruit associées.
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Bruit Basse Fréquence dans les transistors bipolaires a hétérojonction : Transistors Si/SiGe et Si/SiGeC issus de technologies BiCMOS [texte imprimé] / Cyril, Chay, . - France : EUE, 2012 . - 132 P : couv.illi.fig.tab.bib.conc. ; 22x15 cm. - ( Omn.univ.europ.) . ISBN : 978-3-8381-8011-3 Langues : Français ( fre) Langues originales : Français ( fre)
| Index. décimale : |
621 Physique appliquée |
| Résumé : |
Ce travail a consisté à caractériser des transistors bipolaires à hétérojonction par des mesures de bruit basse fréquence (BF). Cette étude a porté sur deux types de composants : des transistors Si/SiGe et Si/SiGeC issus de technologies BiCMOS avancées. Les mesures de bruit basse fréquence sont effectuées en fonction de la polarisation sur des transistors présentant différents paramètres technologiques (surface d'émetteur, profil du Germanium, …) afin de pouvoir localiser et analyser les sources de bruit. Nous avons pu modéliser le bruit en 1/f associé au courant de base ce qui nous a permis d'extraire les paramètres SPICE utilisés dans les modèles de simulation électrique des circuits. Un facteur de mérite reliant les performances fréquentielles et les performances en bruit BF a été proposé. Une étude de l'influence du stress électrique sur des transistors Si/SiGe a été effectuée pour localiser les défauts et les sources de bruit associées.
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